规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
400mA |
Rds(最大)@ ID,VGS |
2 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
- |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
50pF @ 25V |
功率 - 最大 |
625mW |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 |
TO-92-3 |
包装材料
|
Tape & Box (TB) |
包装 |
3TO-92 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
60 V |
最大连续漏极电流 |
0.4 A |
RDS -于 |
2000@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Tape & Reel |
产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
RoHS Compliant |
晶体管极性 |
N-Channel |
漏源击穿电压 |
60 V |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
连续漏极电流 |
400 mA |
抗漏源极RDS ( ON) |
2 Ohms |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
安装风格 |
Through Hole |
封装/外壳 |
TO-92-3 Kinked Lead |
封装 |
Ammo |
正向跨导gFS (最大值/最小值) |
0.32 S |
最低工作温度 |
- 55 C |
功率耗散 |
625 mW |
工厂包装数量 |
2000 |
最大门源电压 |
±20 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
TO-92 |
最低工作温度 |
-55 |
渠道类型 |
N |
最大漏源电阻 |
2000@10V |
最大漏源电压 |
60 |
每个芯片的元件数 |
1 |
供应商封装形式 |
TO-92 |
最大功率耗散 |
625 |
最大连续漏极电流 |
0.4 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Formed |
FET特点 |
Logic Level Gate |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
400mA |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2.5V @ 250µA |
供应商设备封装 |
TO-92-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
2 Ohm @ 500mA, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
625mW |
漏极至源极电压(Vdss) |
60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
50pF @ 25V |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
BS270_D74ZFSCT |
系列 |
BS270 |
单位重量 |
0.010088 oz |
RDS(ON) |
2 Ohms |
正向跨导 - 闵 |
0.32 S |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage |
20 V |
类型 |
FET |
产品 |
MOSFET Small Signal |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
通道数 |
1 Channel |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
400 mA |
长度 |
5.2 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
2 Ohms |
身高 |
5.33 mm |
Pd - Power Dissipation |
625 mW |
技术 |
Si |